三星三季度将上调 DRAM 和 NAND 价格，存储芯片行业景气度上行，国内厂商未来可期

据媒体报道，三星三季度将把动态随机存储器 (DRAM) 和NAND的价格上调15-20%。据业内人士6月26日消息，证实三星电子近期已向包括戴尔科技和惠普(HPE)在内的主要客户通报了这一涨价计划。此外，受AI数据中心对大容量NAND需求的推动，近期三星电子和SK海力士已将NAND工厂的开工率由去年的20-30%升至70%以上。东北证券指出，存储芯片行业景气度进入上行通道，国内厂商未来可期。需求端，中国存储芯片市场与全球市场周期同步，并且增速高于全球市场。供给端，海外厂商寡头长期垄断，国内厂商逐步突破。

从需求端来看，存储市场景气度迎来改善。

全球存储芯片市场规模随半导体行业景气度同步波动，且振幅较大。中国存储芯片市场与全球市场周期同步，并且增速高于全球市场。以来，三大原厂控产效益显现，下游备货动能回温，主流产品价格提振。全球DRAM产业营收约为175亿美元，NAND Flash销售额约为115亿美元，均实现同环比双增长。

从供给端来看，海外厂商寡头垄断，国内厂商逐步突破。

国外存储芯片厂商凭借先发优势和在终端市场的品牌优势，占据大部分市场份额。我国存储芯片行业起步较晚，本土存储芯片厂商处于投产初期，技术基础较为薄弱。近年来，国内厂商奋力追赶，在部分领域实现突破，逐步缩小与国外原厂的差距。2022年全球SSD模组厂自有品牌渠道市场中，出货量前三为金士顿、威刚、金泰克，市占率合计46%。2020全球eMMC市场前五大厂商均为海外厂商，合计占比为96%。我国存储模组市场空间较大，国产存储模组厂商持续推进自主可控进程，未来成长空间广阔。

随着涨价叠加供需改善推动，24Q1存储原厂业绩表现亮眼。

受益于AI需求强劲增长，服务器eSSD、DDR5及HBM需求旺盛，加之NAND制程切换及DDR5产品迭代，服务器存储芯片供需紧张。同时，三星、SK海力士及美光等原厂积极转产或增产高利润的HBM，持续挤占传统存储芯片产能，加速存储产业链供需回归平衡。根据CFM数据，24Q1全球存储市场规模达339亿美元，同比增长86%，环比增长15%。在涨价叠加供需改善的推动下，24Q1存储原厂的存储收入同环比均回升;利润端，继23Q4仅SK海力士一家经营利润扭亏为盈、其余四家原厂(三星、美光、西数、铠侠)均处于亏损状态之后，24Q1五大原厂均实现扭亏为盈。

NAND方面，CFM数据显示，24Q1全球NAND市场规模达152亿美元，同比增长74%，环比增长24%。NAND均价在24Q1呈20%~30%的大幅上涨，其中三星、SK海力士和美光价格环比增速均在30%左右。

DRAM方面，CFM数据显示，24Q1全球DRAM市场规模达到188亿美元，同比增长97%，环比增长9%。受益于DRAM价格的全面回升，以及HBM、DDR5等产品的出货增长，原厂DRAM营收延续增长势头;其中SK海力士和三星价格环比上涨幅度均在20%左右，美光价格环比增速超10%。

国元国际表示，AI不仅对算力提出了更高的要求，同时也对与算力的内存系统提出了更高的要求。行业主流存储芯片厂商已经开始涨价，二季度存储芯片市场大概率还会保持价格上涨的趋势。

华金证券认为，近日国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司已正式成立，注册资本高达3440亿人民币。随着AI应用需求持续释放，“先进存力”建设势在必行，存储芯片或成为国家大基金三期的重点投资对象。当前国内存储原厂扩产项目正有序推进，稼动率亦稳步提升，在国家大基金三期的政策加速催化下，存储产业链相关的设备、材料等厂商迎来黄金发展机遇。

相关概念股：

中芯国际(00981)：中芯国际2月份在业绩说明会上表示，在外部环境无重大变化的前提下，公司给出的2024年指引是：销售收入增幅不低于可比同业的平均值，同比中个位数增长。公司计划在2024年继续推进近几年来已宣布的12英寸工厂和产能建设计划，预计资本开支与上一年相比大致持平。

华虹半导体(01347)：公司指引二季度毛利率中位数将达8%，在一季度的基础上持续改善上扬。公司预期9月份设备将开始搬入，并有望在今年四季度开始试运行，产能有望在2025年开始释放。浦银国际指出，目前，华虹2024年、2025年EV/估值为5.7x、3.6x，估值已经具备吸引力，维持“买入”评级及半导体行业首选。

上海复旦(01385)：公司拥有千万门级FPGA、亿门级FPGA、十亿门级及PSoC共四大系列数十款产品，具备全流程自主知识产权FPGA配套EDA工具，是国内领先的可编程器件芯片供应商。公司作为行业极少数国产FPGA供应商之一，将充分受益下游市场国产化带来的需求体量，发展前景广阔。

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