上交所:始终对借重组之名行套利之实的不当并购交易高度关注、从严监管
科创板晚报|富创精密称收购亦盛精密半导体股权事项仍需协商 德林海股东拟减持公司股份不超过2%
半导体行业复苏明显,153 家公司前三季度净利润同比增长 33%
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意法半导体第三季度业绩:营收下降,净利润大降,计划改变制造足迹
格隆汇10月31日|意法半导体公布第三季度业绩,营收32.5亿美元,同比下降27%,分析师预期32.4亿美元;净利润3.51亿美元,同比下降67
中航证券:Mate70 即将发布,半导体有望迎来估值抬升,看好后续科技行情
半导体设备强势上涨,半导体设备ETF(159516)涨超3.6%。中航证券表示,随着国内“一揽子增量政策”陆续发布,市场活跃度及风险偏好有明显抬升,Mate70即将发布
美国限制投资中国半导体,行业协会总裁怎么看?
当地时间10月28日,美国财政部发布限制美国个人和公司对中国半导体、人工智能等领域投资的规则。美国企业对这一规则怎么看?谭主和美国半导体行业协会总裁约翰·诺伊弗聊了聊
半导体材料 ETF 涨 3.71%,银河证券称行业周期上行,具备配置价值
截至10月31日收盘,半导体材料ETF(562590)涨3.71%,居全市场ETF前列,成分股全线飘红,富创精密领涨,收涨18.11%,至纯科技涨逾10%,盘中一度涨停
三星目标 2026 年推出 400 层 NAND 闪存,存储行业竞争加剧
三星计划2026年实现400层NAND闪存,2030年将超过1000层,闪存,芯片,海力士,存储器,nand,三星电子
三星计划到 2026 年生产 400 层堆叠的 V-NAND 闪存芯片
三星计划在2026年推出400层V-NAND 并在2027年实现DRAM技术进步,闪存,内存,芯片,nand,dram,三星计划,三星电子
三星半导体存储路线图曝光:2026 年推出超 400 层 V-NAND,2027 年推出 0a nm DRAM
这一改动可防止NAND堆叠过程中对外围电路结构的破坏。
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