首页 > TAG信息列表 > NAND
美光第九代 3D TLC NAND 闪存技术 SSD 产品出货,性能卓越,适用于多场景
美光宣布推出第九代NAND闪存技术,并带来2650系列SSD产品,tb,ssd,nand,闪存技术,美光科技,财务会计,财务报表
SK 海力士加速下一代 NAND 闪存开发,2025 年末完成 400+层堆叠量产准备
按照韩媒的说法,SK海力士未来两代NAND的间隔将缩短至约1年。
美光量产 G9 TLC NAND 闪存芯片,速度提升 50%,引领 SSD 性能新突破
美光宣布量产全新G9 TLC NAND闪存,速度比竞争产品快50%,提供无与伦比的带宽。2650 NVMe SSD超越竞争对手38%,顺序读取速度高达7000 MB/s。
SK 海力士开发超 400 层 NAND 闪存,加速新一代产品开发,抢夺市场份额
SK海力士加速开发400+层的NAND闪存,目标2025年末做好量产准备,闪存,sk,芯片,海力士,西部数据,nand
东芯股份获东吴证券买入评级,利基存储市场优势明显,国产替代有望提升市场份额
东芯股份获东吴证券买入评级,SLC NAND国产先锋,拐点已至,利基,东吴证券,nand,东芯股份,国产先锋,原材料价格
苹果推进 QLC NAND 闪存技术,iPhone 2026 年款存储容量或达 2TB
苹果公司正在推进其QLC NAND闪存技术的开发,这种技术的应用将会使其生产的2026年款iPhone具有更大的存储容量。
苹果公司或于 2026 年在 iPhone 中采用 QLC NAND 闪存,提升存储容量并探索新应用
根据7月22日的市场研究报告,苹果公司正在考虑使用QLCNAND闪存来提高iPhone产品的存储容量,最早可能在2026年应用于其中。QLCNAND是一种四层单元的闪存技术
三星引入钼材料革新闪存技术,NAND 材料供应链将迎变革
快科技7月3日消息,据媒体报道,三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中,巧妙地在金属化工艺环节引入了钼(Mo)作为替代材料,与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料。
三星三季度将上调 DRAM 和 NAND 价格,存储芯片行业景气度上行,国内厂商未来可期
据媒体报道,三星三季度将把动态随机存储器 (DRAM) 和NAND的价格上调15-20%。据业内人士6月26日消息
存储行业暖风来袭,材料端受益,韩国半导体材料供应商扩大产能
存储暖风惠及材料?三星、SK海力士NAND厂开工率回升 多个供应商扩产,韩国,sk,开工率,三星电子,海力士nand
美股三大指数集体收涨,中概股普跌,IMF 下调美国 GDP 增速预测
(一)重要市场新闻1、美股三大指数集体收涨,道指涨0.09%,纳指涨0.3%,标普500指数涨0.09%,其中标普和纳指均连涨三日至一周新高,也重新逼近上周二所创的历史最高。
铠侠宣布 3D NAND 闪存技术路线图,计划到 2027 年实现 1000 层堆叠
在全球半导体行业的激烈竞争中,日本知名存储芯片制造商铠侠(Kioxia)展现了其雄心壮志和坚定决心。在结束了长达20个月的NAND闪存减产计划后
TrendForce 集邦咨询:第三季 NAND Flash 供过于求比例上升,价格涨幅收敛
根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示,第三季除了企业端持续投资服务器建设,尤其Enterprise SSD受惠AI扩大采用,继续受到订单推动
铠侠公布 3D NAND 闪存发展蓝图,2027 年将实现 1000 层堆叠
近日,据媒体报道,日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示,自2014年以来,3D NAND闪存的层数经历了显著的增长
国金证券基础化工行业周报:VD3 和企业级 NAND 涨价,创新和卷王方向值得关注
国金证券近日发布基础化工行业周报:VD3和企业级NAND涨价,创新和卷王方向值得持续重点关注,以下为研究报告摘要: 主题:VD3和企业级NAND涨价
电子板块本周跌幅-2.8%,10 年 PE 百分位为 52.50%,行情回顾与子板块分析
行情回顾:电子板块本周跌幅-2.8%(22/31),10年PE百分位为52.50%(1)全行业比较:本周(2024.6.24-2024.6.28,下同)申万电子
三星第 9 代 V-NAND 闪存量产,单位面积存储密度提高约 50%
三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料,可降低层高和延迟,闪存,层高,美光,海力士,nand,三星电子
创新领跑中小容量赛道,聚焦利基存储市场,这家公司拐点已至
炒股就看金麒麟分析师研报,权威,专业,及时,全面,助您挖掘潜力主题机会!创新领跑中小容量赛道,差异化多层次产品布局:公司为国内领先的存储芯片研发设计公司
热门文章