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2024 年第三季前存储器市场报告：DRAM 均价涨幅或受限，NAND 闪存价格呈下降趋势

由于NAND闪存市场需求低于预期，主要存储器制造商都在考虑减少产量,闪存,服务器,存储器,dram,nand

2024-10-12

NAND

2024-10-12

中泰突击-2024 陆军联合训练在昆明开始，聚焦联合反恐行动

10 月 15 日消息，根据 TrendForce 集邦咨询最新调查，NAND Flash 产品受 2024 年下半年旺季不旺影响

2024-10-16

NAND

2024-10-16

NAND 闪存产品市场报告：旺季不旺，合约价下跌，原厂调价受阻

2024Q4 NAND闪存合约价预计下调3%至8%，原厂增长与需求疲软所致,闪存,季减,ssd,合约价,智能手机,nand

2024-10-19

NAND

2024-10-19

世强先进与米客方德达成合作，扩大嵌入式存储芯片产品线

工业级SD NAND/eMMC存储芯片提供商米客方德授权世强硬创代理,工业级,nand,emmc,存储芯片,米客方德

2024-10-26

NAND

2024-10-26

三星半导体存储路线图曝光：2026 年推出超 400 层 V-NAND，2027 年推出 0a nm DRAM

这一改动可防止NAND堆叠过程中对外围电路结构的破坏。

2024-10-30

NAND

2024-10-30

三星计划到 2026 年生产 400 层堆叠的 V-NAND 闪存芯片

三星计划在2026年推出400层V-NAND 并在2027年实现DRAM技术进步,闪存,内存,芯片,nand,dram,三星计划,三星电子

2024-10-30

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2024-10-30

三星目标 2026 年推出 400 层 NAND 闪存，存储行业竞争加剧

三星计划2026年实现400层NAND闪存，2030年将超过1000层,闪存,芯片,海力士,存储器,nand,三星电子

2024-10-30

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2024-10-30

深圳市迈德迩半导体申请 NAND-FLASH 存储芯片测试系统专利

迈德迩申请一种 NAND-FLASH 存储芯片测试系统专利，有效提高测试准确性,芯片,数据量,迈德迩,nand,flash

2024-11-05

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2024-11-05

中科瑞测申请高速灵活性测试的 NAND Flash 误码分析系统专利

中科瑞测申请一种高速灵活性测试的NAND Flash误码分析系统专利，对闪存芯片误码情况进行分析,闪存,芯片,专利,中科瑞测,误码分析,灵活性测试,nand flash

2024-11-05

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2024-11-05

铠侠宣布创新型存储制造技术开发提案获采纳，将开发新型 CXL 接口存储器

铠侠日本当地时间11月7日宣布，其“创新型存储制造技术开发”提案已获得采纳。

2024-11-08

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2024-11-08

三星电子出售西安 NAND 闪存工厂旧设备及产线，背后原因复杂

2025 年，三星电子将出售位于中国西安的 NAND 闪存工厂旧设备。因行业竞争、成本削减等，三星欲优化资源。尽管未获官方表态，但此举或为降成本、提盈利。美国出口管制政策也有影响。

2024-11-09

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2024-11-09

三星调整平泽园区 P4 产线产能分配，应对市场需求变化

应对市场变化，三星平泽P4一期调整为DRAM+NAND Flash混合生产,闪存,产线,dram,知名企业,芯片制造商,三星平泽p4,nand flash

2024-11-12

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2024-11-12

SK 会长崔泰源出任 Solidigm 董事长，背后原因引人关注

【TechWeb】11月14日消息，据国外媒体提到，韩国第二大企业集团SK提交的季度报告显示，会长崔泰源已被选为NAND闪存厂商Solidigm的董事长。外媒在报道中提到

2024-11-15

NAND

2024-11-15

国产存储芯片大厂江波龙自研 SLC NAND Flash 出货量突破 1 亿颗

国产存储芯片大厂江波龙宣布，其自研SLC NAND Flash已经累计出货突破1亿颗。江波龙称

2024-11-18

NAND

2024-11-18

JEDEC 推出 NAND 闪存接口互操作性标准 JESD230G，为未来性能扩展奠定基础

11月20日，半导体行业规范制定组织JEDEC下属固态技术协会美国当地时间本月18日正式推出NAND闪存接口互操作性标准JESD230G。

2024-11-20

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2024-11-20

SK 海力士量产全球首款 321 层堆叠技术 1TB TLC 4D NAND 闪存，引领存储技术前沿

SK海力士引领科技新高度，321层NAND闪存量产开启存储新篇章

2024-11-21

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2024-11-21

韩国芯片巨头 SK 海力士开始批量生产 321 层 NAND 闪存芯片

韩国芯片巨头SK海力士公司周四表示，已开始批量生产业界首个基于三层单元的321层NAND闪存芯片。NAND闪存是一种非易失性存储介质

2024-11-22

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2024-11-22

SK 海力士量产全球最高 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存，传输速度与能效再提升

SK海力士宣布已经量产全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存，在数据传输速度以及能效上都带来进一步提升。

2024-11-23

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2024-11-23

JEDEC 推出 JESD230G：NAND 闪存接口互操作性标准，速率大幅提升

JEDEC带来增强型NAND闪存接口标准：将进一步提升速度和效率,闪存,美光,增强型,nand,接口标准,jedec

2024-11-23

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2024-11-23

SK 海力士宣布量产全球首款 1Tb 321 层 4D NAND 闪存，速度性能提升

（全球TMT2024年11月22日讯）SK海力士(SK hynix Inc.)宣布，已开始量产全球首款容量为1Tb的基于三层单元的321层4D NAND闪存。自去年6月以来

2024-11-23

NAND

2024-11-23

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2024 年第三季前存储器市场报告：DRAM 均价涨幅或受限，NAND 闪存价格呈下降趋势

中泰突击-2024 陆军联合训练在昆明开始，聚焦联合反恐行动

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