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金融界:贵公司有没有应用在手机和电脑上的存储芯片
金融界5月17日消息,有投资者在互动平台向兆易创新提问:贵公司有没有应用在手机和电脑和平板电脑上的存储芯片,请立项研发超级存储芯片,一个芯片,可
中信建投研:NANDFlash合约价季涨幅同步上修至15~20%
每经AI快讯,中信建投研报表示,当前头部存储供应商通过强势减产,加速拉动市场进入供需关系改善,加之高阶存储需求增长,存储涨价潮持续。预计二季度将
三星明年推出第10代NAND芯片堆叠层数高达290层
三星与韩国科学技术院合作,通过铪铁电体技术推动NAND闪存达到1000层以上堆叠高度。目前,三星已经推出了290层的第9代V-NAND闪存,并计划明年推出430层的第10代芯片。
看懂 NAND、DDR、LPDDR、eMMC 几种存储器的区别
存储领域发展至今,已有很多不同种类的存储器产品。下面给大家介绍几款常见的存储器及其应用:1 NANDNAND Flash存储器是Flash存储器的一种,属于非易失性存储器
2024 年存储器市场复苏,铠侠结束 NAND 闪存减产策略,价格上涨势头持续
铠侠结束NAND闪存减产,工厂开工率已恢复至100%,铠侠,闪存,工厂,开工率,nand
苹果或于 2026 年在 iPhone 上启用 2TB 更大存储,QLC NAND 换代成关键
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苹果推进 QLC NAND 闪存技术,iPhone 2026 年款存储容量或达 2TB
苹果公司正在推进其QLC NAND闪存技术的开发,这种技术的应用将会使其生产的2026年款iPhone具有更大的存储容量。
苹果公司或于 2026 年在 iPhone 中采用 QLC NAND 闪存,提升存储容量并探索新应用
根据7月22日的市场研究报告,苹果公司正在考虑使用QLCNAND闪存来提高iPhone产品的存储容量,最早可能在2026年应用于其中。QLCNAND是一种四层单元的闪存技术
三星引入钼材料革新闪存技术,NAND 材料供应链将迎变革
快科技7月3日消息,据媒体报道,三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中,巧妙地在金属化工艺环节引入了钼(Mo)作为替代材料,与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料。
三星第 9 代 V-NAND 闪存量产,单位面积存储密度提高约 50%
三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料,可降低层高和延迟,闪存,层高,美光,海力士,nand,三星电子
电子板块本周跌幅-2.8%,10 年 PE 百分位为 52.50%,行情回顾与子板块分析
行情回顾:电子板块本周跌幅-2.8%(22/31),10年PE百分位为52.50%(1)全行业比较:本周(2024.6.24-2024.6.28,下同)申万电子
国金证券基础化工行业周报:VD3 和企业级 NAND 涨价,创新和卷王方向值得关注
国金证券近日发布基础化工行业周报:VD3和企业级NAND涨价,创新和卷王方向值得持续重点关注,以下为研究报告摘要: 主题:VD3和企业级NAND涨价
铠侠公布 3D NAND 闪存发展蓝图,2027 年将实现 1000 层堆叠
近日,据媒体报道,日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示,自2014年以来,3D NAND闪存的层数经历了显著的增长
TrendForce 集邦咨询:第三季 NAND Flash 供过于求比例上升,价格涨幅收敛
根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示,第三季除了企业端持续投资服务器建设,尤其Enterprise SSD受惠AI扩大采用,继续受到订单推动
铠侠宣布 3D NAND 闪存技术路线图,计划到 2027 年实现 1000 层堆叠
在全球半导体行业的激烈竞争中,日本知名存储芯片制造商铠侠(Kioxia)展现了其雄心壮志和坚定决心。在结束了长达20个月的NAND闪存减产计划后
美股三大指数集体收涨,中概股普跌,IMF 下调美国 GDP 增速预测
(一)重要市场新闻1、美股三大指数集体收涨,道指涨0.09%,纳指涨0.3%,标普500指数涨0.09%,其中标普和纳指均连涨三日至一周新高,也重新逼近上周二所创的历史最高。
存储行业暖风来袭,材料端受益,韩国半导体材料供应商扩大产能
存储暖风惠及材料?三星、SK海力士NAND厂开工率回升 多个供应商扩产,韩国,sk,开工率,三星电子,海力士nand
三星三季度将上调 DRAM 和 NAND 价格,存储芯片行业景气度上行,国内厂商未来可期
据媒体报道,三星三季度将把动态随机存储器 (DRAM) 和NAND的价格上调15-20%。据业内人士6月26日消息
日本存储芯片厂商铠侠结束减产行动,市场复苏带来新机遇
据日经新闻报道,鉴于市场正在复苏,日本存储芯片厂商铠侠已结束持续20个月的减产行动,且贷方同意提供新的信贷额度。报道称
DRAM 和 NAND 闪存现货市场价格未见明显回升迹象,短期内难以反弹
DARM和NAND现货市场价格走低,涨价周期或将结束,闪存,芯片,dram,nand,darm
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