三星引入钼材料革新闪存技术,NAND 材料供应链将迎变革
快科技7月3日消息,据媒体报道,三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中,巧妙地在金属化工艺环节引入了钼(Mo)作为替代材料,与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料。
今日 A 股调整,成交额创新低,消费股反弹,芯片、铜箔概念股走强
今天,A股调整,截至收盘,上证指数下跌0.49%,深证成指下跌0.59%,创业板指下跌0.3%。今天市场的成交额为5804亿元,为今年以来新低。盘面上,消费股展开反弹
三星第 9 代 V-NAND 闪存量产,单位面积存储密度提高约 50%
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AI 热潮推动晶圆需求增长,环球晶圆董事长称 HBM 短缺需加大投入
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AI 浪潮下,HBM 供不应求,硅晶圆产业或迎来新机遇
随着人工智能技术快速发展,AI芯片需求正急剧上升,推动先进封装以及HBM技术不断提升,硅晶圆产业有望从中受益。近期,环球晶董事长徐秀兰对外透露,AI所需的HBM内存芯片
SK 海力士业绩水涨船高,HBM 成崛起重要原因
过去几年,在AI的推动下,英伟达挣得盘满钵满。作为英伟达GPU的主要部件HBM的供应商,SK海力士的业绩也是水涨船高。在今年四月举办的财报说明会上,SK海力士表示
中泰证券发布半导体行业周报:7 月业绩期临近,市场回调下关注需求高增方向
中泰证券近日发布半导体行业周报:7月业绩期临近,关注需求高增方向, 以下为研究报告摘要: 市场整体回调,半导体指数跌5.28% 本周(2024/6/24-
上海类比半导体推出全新 OPJ301x 系列超低输入偏置电流高性能通用运算放大器
致力于提供高品质芯片的国内优秀模拟及数模混合芯片设计商上海类比半导体技术有限公司今日宣布正式推出其全新OPJ301x系列超低输入偏置电流高性能通用运算放大器。
SK 海力士宣布 103 万亿韩元投资计划,聚焦 HBM 产品线,重塑半导体领导地位
这笔投资的重头戏是SK海力士的高带宽内存(HBM)产品线,预计80%的资金将用于这一领域,特别是为Nvidia(英伟达)的AI加速器量身定制的产品。
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