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TrendForce:DRAM 及 NAND 闪存产业 2024 年营收增长显著,HBM 崛起成关键因素
2025年存储器产业营收预计将创新高:HBM和QLC技术崛起和价格上涨推动,闪存,存储器,hbm,qlc,dram,nand
三星 HBM3e 通过英伟达认证将如何影响 HBM 市场竞争格局?
美银预计,由于SK海力士占市场主导地位,三星HBM3e供货英伟达对SK海力士2024/25财年收益影响较小;但如果三星HBM4认证成功,将对海力士2026年收益产生明显负面影响
SK 海力士明年 HBM 出货量预计增长一倍以上,台积电德国工厂 2027 年底量产
SK海力士:预计明年HBM出货量倍增;日月光投控再次上调资本支出;台积电德国工厂预计2027年底量产,台积电,英飞凌,hbm,sk海力士,日月光半导体,台湾积体电路制造
SK 海力士投资 493.4 亿建设芯片工厂,HBM 市场供需缺口持续扩大,价格预计继续上涨
市场供需缺口持续扩大 国内厂商有望受益于HBM国产化
三星电子二季度 HBM 销售额增长超 50%,得益于人工智能需求
三星电子公司周三表示,第二季度其高性能高带宽存储器的销售额环比增长了50%以上,主要得益于人工智能的蓬勃发展。
美国大选期间变本加厉,制裁中国半导体领域再扩大
半个月前美国释出“外国直接产品规则”(FDPR),试图严控ASML与东电之类的国际企业继续供应中国大陆。7月31日外媒爆出美国在盟友的反对下,赦免ASML与东电继续供应中国大陆。
氧化铝粉体国产替代领军者,球形氧化铝新增产能带来市场增量
氧化铝粉体国产替代领军者,球形氧化铝新增产能带来市场增量天马新材从事高性能精细氧化铝粉体的研发、生产和销售,先后被工信部认定为国家级专精特新“小巨人”企业和“制
中国企业囤积三星 HBM 芯片,应对美国出口限制,推动先进封装体系革新
8月6日,据路透社报道,各大企业以及初创公司都在囤积三星电子的高带宽存储器(HBM)半导体,以应对美国对华芯片出口的限制。
三星电子否认 HBM3E 芯片已通过 Nvidia 资格测试,仍在与主要客户进行测试
事关HBM,三星否认:还没有!,gpu,英伟达,海力士,hbm,三星电子,nvidia
美股三大指数集体收涨,大型科技股普涨,中概股亦多数上扬
(一)重要市场新闻1、美股三大指数集体收涨,道指涨683.04点,涨幅1.76%;纳指涨464.21点,涨幅2.87%;标普500指数涨2.3%
东吴证券给予盛美上海增持评级,受益 HBM 需求增长清洗电镀产品迎新机遇
东吴证券08月09日发布研报称,给予盛美上海(688082.SH,最新价:95.53元)增持评级。评级理由主要包括:1)受益于下游需求旺盛
三星电子回应英伟达 HBM 芯片测试传闻:按计划进行,与客户密切合作
三星回应英伟达HBM芯片测试传闻:测试按计划进行中,芯片,英伟达,海力士,黄仁勋,hbm,三星电子
美光总裁访台或带来合作新机遇,加码投资引关注
行业人士消息,美光总裁暨CEO Sanjay Mehrotra在今年7月访问中国台湾,将带来更进一步合作,例如在人工智能(AI)应用扮演重要角色的高带宽存储器。据悉
美国 7 月 PPI 数据公布,美股科技股普涨,离岸人民币兑美元汇率报 7.1479 元
(一)重要市场新闻1、美国7月PPI同比上升2.2%,预估为2.3%,前值为2.6%;美国7月PPI环比上升0.1%,预估为0.2%,前值为0.2%。美股三大指数集体收涨
HBM 称重传感器:紧凑设计、高侧向防护、抗扭刚性强、免维护、模块化设计
HBM称重传感器RTN C3/4.7t 其非常紧凑的设计占有非常小的空间。高侧向的防护允许连接轴直接与法兰连接,无须其它...
新一代高带宽内存 HBM4 标准制定即将完成,性能大幅提升
近日,标准组织JEDEC固态技术协会公布了新一代的高带宽内存HBM4的标准制定即将完成。HBM4 旨在超越当前发布的 HBM3 标准,进一步提高数据处理速率
三星电子将于年底启动下代 HBM4 内存流片,明年底量产 12 层堆叠产品
8月19日消息,据韩媒报道,三星电子将于今年底启动下代 HBM4 内存的流片,为明年底的 12 层堆叠 HBM4 产品量产做准备。
SK 海力士副总裁:七大科技巨头望其开发定制 HBM 产品,存储行业将迎临界点
据韩媒报道,SK海力士负责HBM内存业务的副总裁RyuSeong-soo在集团2024年度利川论坛上表示
SK 海力士公布雄心勃勃战略:开发性能比现有 HBM 高出 30 倍的产品
HBM争霸赛:最新进展,内存,三星,芯片,海力士,dram,hbm争霸赛
韩国 7 月 ICT 出口增长 32.8%,半导体产业带动贸易顺差 72.8 亿美元
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)据韩媒报道,韩国科技信息通信部最新ICT进出口统计数据显示,在半导体产业带动下,7月韩国ICT出口达194亿美元,较去年同月增长32.8%
SK 海力士计划开发比当前 HBM 快 20-30 倍的新内存标准,瞄准 HBM4 创新与领先地位
SK海力士计划开发下一代HBM内存标准,性能预计提升30倍。该公司副总裁表示,他们的目标是推出比当前HBM标准快20到30倍的产品
SK 海力士计划开发新 HBM 内存标准,速度或提升 30 倍
炒股就看金麒麟分析师研报,权威,专业,及时,全面,助您挖掘潜力主题机会!8月21日消息, 在SK Icheon Forum 2024论坛上
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